高極化隔離雙極化單脈沖微帶天線陣列研究.pdf

1、微帶天線以其重量輕、剖面小、設計靈活、成本低廉等諸多優(yōu)點得到了越來越廣泛的應用。隨著微帶天線應用的不斷深入，人們對微帶天線的要求也不斷提高，除了傳統(tǒng)的應用外，人們還提出新的要求和設想，例如單脈沖天線、低副瓣天線、有源集成天線等等。
　　 本文主要對雙極化微帶天線進行研究，重點研制了高隔離度雙極化微帶天線單元，并設計出Ku波段的圓口徑雙極化單脈沖微帶天線陣列。本文的主要工作有：
　　 根據(jù)微帶天線不同的饋電方式，包括邊沿饋

2、電、探針饋電、口徑耦合饋電和近似耦合饋電，分析設計了一種高隔離度雙極化微帶天線單元。該天線單元一種極化采用近似耦合的饋電方式，一種極化采用口徑耦合的饋電方式，兩種極化的饋線分別放在不同的介質(zhì)層上。仿真以及實測結果表明，在3[％]的相對帶寬范圍內(nèi)端口隔離度在-31dB以下，兩個端口的駐波比都在1.5以下。
　　 介紹了單脈沖技術，并分析了和差網(wǎng)絡的原理，選用三分支電橋的“十”字型和差器作為和差網(wǎng)絡，并作了仿真設計和分析。
　

3、　 基于綜合的理論，研究了天線陣綜合的方法。首先對線陣的Dolph-Chebyshev綜合以及Taylor綜合作了介紹。結合實際要求，編制Matlab程序，給出了9元線陣的Dolph-Chebyshev綜合的陣因子方向圖和20元的Taylor綜合的陣因子方向圖，并對20*20的矩形柵格陣作了泰勒面陣的綜合，得出低副瓣的陣因子方向圖。然后對共有328個單元的圓口徑柵格陣作了泰勒面陣綜合，得到副瓣電平為-28dB對應的陣面電流分布?；谔?/p>