具有耦合光量子阱結構的光子晶體透射譜特性研究.pdf

1、半導體超晶格與量子阱概念的提出，為新型量子電子器件的發(fā)展開辟了新思路。光子晶體是在近十幾年，人們通過類比半導體超晶格而人工設計的具有不同折射率介質交替排列而構成的周期性結構光子材料；光量子阱是在類比半導體量子阱基礎上提出的，它是將具有不同光子禁帶的光子晶體材料組合在一起耦合構成光子晶體量子阱結構，由此展現(xiàn)出新異的光量子效應和新的物理特性。本論文針對耦合的光量子阱結構的光子晶體(AB)m(CD)n(AB)m(CD)k(AB)m模型的透射譜

2、特性進行研究，考慮折射率介質具有正折射率、負折射率和復介電常數(shù)折射率的情況，計算模擬耦合光量子阱的透射譜，發(fā)現(xiàn)了如下規(guī)律：
　　 1、對于光子晶體耦合的量子阱結構模型，當C和D為相等的雙正介質和雙負介質且光子晶體周期數(shù)k和n相等情況下，隨著周期數(shù)n的增加，透射峰之間的距離縮小，且透射峰為雙線結構。
　　 2、固定周期數(shù)n，若C和D介質取相等的負折射率，隨著入射角角度的增加透射峰的條數(shù)減少，當達到60度時透射峰出現(xiàn)了衰減。

3、當周期數(shù)k和n不相等時，透射譜的透射率會發(fā)生變化，光量子阱的透射率強烈依賴于量子阱系統(tǒng)的對稱性。
　　 3、在含復介電常數(shù)情況下，缺陷層復介電常量的虛部對透射譜的透射率影響很大。當缺陷層復介電常量的虛部為正時，都表現(xiàn)為對透射峰增益，最大達到300倍，并且還保持雙線結構，虛部不一樣時，增益程度不一樣；當缺陷層復介電常量的虛部為負時，都表現(xiàn)為對透射峰的吸收。
　　 除了以上三點重要結論，本論文研究結果還對設計新型光量子器件如