大功率激光二極管光束特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、半導體激光器己成為現代光電系統和光子系統中不可取代的重要部分,但是由于半導體激光器本身波導結構的影響,在使用它之前需要對其輸出光束進行整形.為了合理設計光學系統,就必須準確了解光場遠場分布.然而對于大功率激光二極管,仍然沒有結構簡單并且能較好反映實際器件特性的光場模型.因此,本文的主要工作是:介紹了半導體激光器工作的基本原理,列舉了幾種基本結構,指出了現有半導體激光器的優(yōu)缺點.隨后列舉了現有的光場分布模型.基于已有的赫姆霍茨方程嚴格遠場

2、漸進解,提出使用兩個離心高斯光束描述大功率激光二極管源場平行結平面方向的模式場分布,代入嚴格遠場解中得到一種描述大功率激光二極管遠場光分布模型,用于描述其雙峰遠場結構.針對建立的理論模型,采用計算機擬合,和三種激光二極管的實驗數據進行了比較,曲線主要部分都能很好吻合,并且偏差部分的能量僅占總能量的6％-7％,驗證了模型的實用性.在單個激光二極管的基礎上,本文還將模型推廣到線形列陣大功率半導體激光器,給出了理論曲線.本文提出的模型數學表達

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