4—8GHz低噪聲小信號(hào)放大器的研制.pdf

1、該文中設(shè)計(jì)的C波段低噪聲放大器是在國(guó)內(nèi)先進(jìn)的薄膜混合集成電路制作工藝基礎(chǔ)上,采用光潔度高,導(dǎo)熱率好,機(jī)械度強(qiáng)的氧化鋁精細(xì)陶瓷基片,利用西科公司共晶微組裝工藝和先進(jìn)的粘接技術(shù)研制而成的.該課題采用寬帶平衡式電路,選用日本富士通公司低噪聲高電子遷移率的管芯FHX45X,利用小信號(hào)模型S參量法,自行設(shè)計(jì)了3dB耦合電橋,獨(dú)立進(jìn)行電路的輸入輸出匹配,使放大器工作在低噪聲高增益區(qū);并通過(guò)Agilent的ADS仿真軟件,得到原理仿真結(jié)果;利用Aut

2、oCAD軟件進(jìn)行電路板的布局工作;采用帶脊載體,對(duì)電路實(shí)行輸入模塊和輸出模塊分開(kāi)設(shè)計(jì)電路圖的方法,便于組裝并保證共晶工藝流程的順利進(jìn)行.設(shè)計(jì)出的放大單片和級(jí)聯(lián)單片后的放大器是在HP系列的測(cè)試儀器上完成的.主要利用的儀器有:HP8757D標(biāo)網(wǎng),以及HP E8247C信號(hào)源、8259L頻譜儀和8970B噪聲儀.該課題設(shè)計(jì)的4GHz-8GHz低噪聲放大器主要的測(cè)試條件為外加12V直流電源,通過(guò)自行裝在放大器內(nèi)部的穩(wěn)壓模塊轉(zhuǎn)換到2V,電流為19

3、0mA;得到的測(cè)試指標(biāo)如下:噪聲系數(shù)最大為2.18dB;滿足要求小于2.2dB的指標(biāo);增益最高為38.75dB,最小為34.65dB;滿足指標(biāo)要求的增益為32dB~39dB;增益平坦度為±2.05dB;基本滿足平坦度小于等于4dB的指標(biāo)要求;輸入輸出駐波比小于1.86;滿足小于2的指標(biāo)要求;輸出1dB壓縮點(diǎn)功率最小為10.8dBm.滿足指標(biāo)要大于10dBm的要求.該課題的設(shè)計(jì)盡管存在某些缺點(diǎn),但是,基本上仍可以說(shuō)是完成了事先的研制任務(wù).