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文檔簡介
1、本論文主要研究SRO薄膜的生長工藝,為在鐵電薄膜器件中的應(yīng)用奠定基礎(chǔ).首先,本論文開展了筒形SRO陶瓷靶材的燒結(jié)工藝研究,通過大量實(shí)驗(yàn),優(yōu)化了燒結(jié)工藝,其燒結(jié)溫度為1 550℃、保溫24小時(shí).所制備的靶材結(jié)構(gòu)致密、結(jié)晶良好.采用倒筒式直流濺射法在LAO和Pt/Ti/SiO<,2>/Si基片上沉積SRO薄膜.系統(tǒng)研究了基片溫度、濺射氣體壓強(qiáng)、O<,2>/Ar和濺射功率等對薄膜表面形貌、結(jié)晶情況的影響,優(yōu)化了SRO薄膜的生長工藝參數(shù),制備出
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