納米硅和氧化鋅納米結(jié)構(gòu)的制備及應(yīng)用研究.pdf

1、納米世界中納米顆粒和納米結(jié)構(gòu)材料表現(xiàn)的奇妙特性，以及它們在光、電、磁和生化等各個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)的非凡應(yīng)用前景，激發(fā)著人們對(duì)這一領(lǐng)域進(jìn)行更加深入的研究。本論文用電化學(xué)腐蝕方法制備了硅納米薄膜，用熱蒸發(fā)技術(shù)制備了四角狀和線性一維ZnO納米結(jié)構(gòu)，并對(duì)這些材料的應(yīng)用進(jìn)行研究。主要內(nèi)容如下： 1．系統(tǒng)研究了納米硅的電化學(xué)制備條件，分析了腐蝕條件對(duì)納米硅薄膜的微觀結(jié)構(gòu)的影響，獲得了制備硅納米的最佳參數(shù)。對(duì)納米硅薄膜進(jìn)行了全面表征，用TEM分析了納

2、米硅的晶格結(jié)構(gòu)，用SEM觀測納米硅薄膜的正面和剖面的微觀結(jié)構(gòu)，XRD分析了納米硅薄膜的晶格膨脹率，用Rarnanshift估算了納米硅的平均直徑。 2．研究納米硅薄膜作為襯底材料在微波集成電路制備中的應(yīng)用。測試了該薄膜材料的電阻率，以它為襯底制備共平面波導(dǎo)，并分別和以石英、多晶硅為襯底在20GHz到40GHz的范圍內(nèi)進(jìn)行插入損耗比較。結(jié)果表明氧化納米硅薄膜在上述波段中的損耗只有5dB／cm，略高于石英，但遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于多晶硅。研究結(jié)果