準分子激光剝離紫外發(fā)光二極管的研究.pdf

1、分類號【)C：密編準分子激光剝離紫外發(fā)光二極管的研究THESTUDYOFEXClMERLASERLIFFOFFFORULTRAVIOLETLIGHTEMITTINGDIODES學位授予單位及代碼：量查型』盤堂flQl豎2學科專業(yè)名稱及代碼：塑堡生i堂!Q!Q塑12研究方同：芏昱佳邀堂鹽地型生熊盔申請學位級別：亟塵指導教師：!出撻叢煎逸研究，k：籃塑淪史起止時州：20iO】l20lI【!摘要激光剝離技術是現階段獲得紫外LED卅延片的熱rJ

2、方法，它禮二獲得異質外延片的過程中肯其它蝕刻方法所4i具茁的優(yōu)勢。本文研究了不同激光脈沖對GaN材料的影響，獲搿了準分子激光在異質外延膜剝離過程中的作蹦參數。針對紫外發(fā)光GaN外延膜提出了不同的剝離方法，咀及現在階段用激光剝離技術生產紫外發(fā)光二極管的實際應用，并時剝離前后GaN膜的光學性質進行了分析。獲得了準分子激光剝離的雖佳條件。通過600mJ／crnz38ns，10Hz，248nm的KrF準分子激光器得到直徑75mm的GaN外延膜。