反激式單級(jí)PFC LED驅(qū)動(dòng)電源的傳導(dǎo)EMI建模與應(yīng)用.pdf

1、當(dāng)前，發(fā)展綠色節(jié)能技術(shù)得到世界各國(guó)的重點(diǎn)關(guān)注。LED照明具有工作電壓低、耗電少、發(fā)光效率高、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，日趨成為節(jié)能照明領(lǐng)域的主流。LED照明作為電子產(chǎn)品同樣存在電磁輻射問(wèn)題，各國(guó)政府也制定了針對(duì)本國(guó)市場(chǎng)的LED產(chǎn)品電磁標(biāo)準(zhǔn)。預(yù)測(cè)LED系統(tǒng)的傳導(dǎo)EMI，并對(duì)系統(tǒng)傳導(dǎo)EMI進(jìn)行優(yōu)化研究成為本文的主要研究?jī)?nèi)容。
　　本文從傳導(dǎo)EMI研究現(xiàn)狀出發(fā)，介紹了電源系統(tǒng)的傳導(dǎo)EMI產(chǎn)生機(jī)理及測(cè)試方法。針對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電源高頻工作特點(diǎn)，分析了系統(tǒng)

2、中各類(lèi)關(guān)鍵元件高頻狀態(tài)下的性能特點(diǎn)，并給出了相應(yīng)的高頻等效模型，同時(shí)討論了相關(guān)模型的精度和復(fù)雜度，確定了LED驅(qū)動(dòng)電路中的關(guān)鍵器件的高頻建模方法。接著分析了電源管理芯片相關(guān)的功能結(jié)構(gòu)和性能參數(shù)，給出相應(yīng)的電路，構(gòu)建芯片的仿真宏模型。結(jié)合所建立的關(guān)鍵器件高頻模型及電源管理芯片宏模型，最終得到LED驅(qū)動(dòng)電源的傳導(dǎo)EMI模型。在此模型的基礎(chǔ)上，分析了系統(tǒng)中MOS管漏端電壓波形、初級(jí)電流波形及柵驅(qū)動(dòng)波形與傳導(dǎo)EMI的關(guān)系，以及討論了變壓器漏感、