碳化硅單晶納米絲和單晶片的溶劑熱合成制備與生長機(jī)理研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩57頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、該論文豐富發(fā)展了SiC單晶材料的溶劑熱合成新路線,在高壓釜中制得了SiC單晶納米絲和單晶片.單晶絲直徑尺寸分布在10-100nm,最長可達(dá)30μ m;單晶片橫向尺寸分布在0.2-6μm,呈現(xiàn)規(guī)則的單晶外形.根據(jù)反應(yīng)現(xiàn)象和產(chǎn)物結(jié)構(gòu)特征,提出SiC的單晶材料是以氣-液-固(VLS)生長機(jī)制生長.金屬K在制備過程中既起了還原劑作用,又起了溶劑的作用.金屬K提供了材料生長的液相環(huán)境,其用量的不同直接的導(dǎo)致了生長基元的不同過飽和度,從而導(dǎo)致了Si

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論