基于微納結(jié)構(gòu)的太赫茲傳感器.pdf

1、隨著太赫茲源的出現(xiàn)，基于太赫茲技術(shù)的各種器件得到了良好的發(fā)展環(huán)境，再加上微納結(jié)構(gòu)—超材料的出現(xiàn)更進(jìn)一步推進(jìn)了太赫茲器件的快速發(fā)展。由于超材料的設(shè)計(jì)靈活性，各種太赫茲器件的發(fā)展均可以從此入手，因此近年來各種基于超材料的太赫茲器件相繼出現(xiàn)，并且具備良好的性能，像典型的有基于超材料的太赫茲濾波器、太赫茲調(diào)制器、太赫茲吸收器以及太赫茲傳感器。
　　本文主要研究的是基于微納結(jié)構(gòu)的太赫茲傳感器，確切的說是微流傳感器。
　　在對基于微納結(jié)

2、構(gòu)的太赫茲微流傳感器進(jìn)行研究前，我們首先需要對微納結(jié)構(gòu)—超材料進(jìn)行廣泛的研究，了解超材料的特性和一些常見結(jié)構(gòu)的工作原理，如增強(qiáng)諧振研究和高Q值的研究都是必要的，當(dāng)然對太赫茲傳感器也需要做一定的調(diào)研工作，比如太赫茲傳感器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和理論分析等，并且不同領(lǐng)域的傳感器是有區(qū)別的，在有了一定的基礎(chǔ)之后才能夠進(jìn)行我們的太赫茲微流傳感器的研究工作。
　　太赫茲微流傳感器的研究涉及到多個(gè)方面，前期主要是器件的設(shè)計(jì)思路和利用我們的電磁仿真軟件CS

3、T進(jìn)行模型建立，中期主要是繼續(xù)使用CST進(jìn)行器件的結(jié)構(gòu)模型優(yōu)化和改進(jìn)，后期便是實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證環(huán)節(jié)了，在此環(huán)節(jié)中我們還需要學(xué)習(xí)器件的加工制備。
　　在經(jīng)過長時(shí)間的理論研究之后，由本人在中科院蘇州納米所進(jìn)行了微納工藝的學(xué)習(xí)并且進(jìn)行傳感器的制備環(huán)節(jié)。加工好的芯片并不能直接進(jìn)行測試，這是因?yàn)閭鞲衅鞯慕M成比較復(fù)雜，需要進(jìn)行組裝之后才能夠形成一個(gè)傳感系統(tǒng)。在一系列比較嚴(yán)密的封裝之后我們對我們的器件進(jìn)行了測試，測試結(jié)果表明我們的設(shè)計(jì)思路是正確可行的。