寬帶多模干涉型光耦合器的設計及優(yōu)化.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來,隨著人們對于光信息處理需求的不斷增加,硅基光子學由于其取得的重要突破,成為了目前研究的熱點領域之一。基于自映像效應的多模干涉(MMI)型光耦合器具有結構簡單,插入損耗低,制作工藝容差大等諸多的優(yōu)勢,因而被廣泛應用于光耦合、光分束,以及其它的功能器件中。但多模干涉器件由于使用模式干涉原理,其器件的性能與工作波長相關,通常工作帶寬在幾十納米。
　　本文從多模干涉光耦合器的結構特點以及工作原理出發(fā),分析了其自映像效應的一般成像規(guī)

2、律。隨后重點研究了波長的變化對于器件性能產(chǎn)生的影響情況,總結出限制 MMI耦合器帶寬的主要原因有兩點:其一是成像位置會受到波長的影響;其二是由于計算的近似帶來的誤差導致成像性能的降低。
　　基于上述的分析結果,我們提出了三類可以提高MMI結構帶寬的設計思路,并且對于這幾類結構進行了仿真驗證。仿真的結果與之前原理分析十分吻合,在采用提高帶寬的結構之后,對比于原始MMI結構60nm的1dB附加損耗帶寬,幾類結構均有不同程度的提高,提高

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