疊層有機電致發(fā)光器件中過渡金屬氧化物內部連接層的界面電子結構研究.pdf

1、近年來,疊層有機電致發(fā)光器件以其優(yōu)異的電流效率、發(fā)光亮度和工作壽命越來越受到學術界和產業(yè)界的關注。在疊層有機電致發(fā)光器件中,多個發(fā)光單元通過內部連接層串聯(lián),在一定的外界電場作用下,內部連接層產生電子和空穴,并注入到鄰近的發(fā)光單元,分別與反方向注入的空穴和電子復合、發(fā)光,因此選擇、設計、制備合適的內部連接層是提高疊層器件性能的關鍵。在內部連接層所用的材料中,過渡金屬氧化物由于功函數高,光透過性強和穩(wěn)定性好等優(yōu)勢,被廣泛使用在疊層器件的內部

2、連接層中。
　　 本文主要通過光電子能譜(XPS和UPS)獲得基于過渡金屬氧化物WO3和MoO3內部連接層的界面電子結構和能級排布,研究其工作機理,并進一步探討了連接層結構和材料對器件性能的影響。具體內容包括：⑴利用光電子能譜表征了基于WO3內部連接層界面電子結構,即(a)NPB/WO3/Mg:Alq3,(b)NPB/WO3/Alq3,(c)NPB/Mg:Alq3和(d)NPB/Alq3。通過比較各個連接層的能級排布及相應疊層器

3、件性能,研究其工作機理,分析WO3和Mg:Alq3在內部連接層中的作用。⑵以MoO3代替WO3,研究內部連接層(a)NPB/MoO3/Mg:Bphen/Bphen,(b)NPB/MoO3/Bphen,(c)NPB/Mg:Bphen和(d)NPB/Bphen界面電子結構和能級排布,驗證基于MoO3的內部連接層是否具有與WO3相同的載流子產生和注入機理,并進一步以Alq3代替Bphen討論電子傳輸材料(ETM)對內部連接層界面電子結構和能級