垂直結(jié)構(gòu)大功率GaN-LED芯片亮度提高的研究.pdf

1、LED具有體積小、消耗功率低、使用壽命長(zhǎng)等特性。如今 LED正逐漸取代傳統(tǒng)光源。在當(dāng)前注重環(huán)保的時(shí)代中,高亮度LED的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,它扮演著越來(lái)越重要的角色。為了持續(xù)提升它的亮度和壽命,以實(shí)現(xiàn)LED照明的理想,我們必須解決一些相關(guān)的問(wèn)題:比如提高發(fā)光效率,出光效率,散熱性能,減少歐姆接觸,優(yōu)化電流分布等。
　　我參與了垂直結(jié)構(gòu)GaN-LED的研制工作,認(rèn)識(shí)到它不但與正裝結(jié)構(gòu)LED制作過(guò)程有很大的不同,而且它們?yōu)樘岣咂骷阅芩捎?/p>

2、的措施亦有區(qū)別。由于垂直結(jié)構(gòu)的LED是近年才研制成功的,已有的、相關(guān)的研究工作主要是針對(duì)解決制作方法中的難點(diǎn),如激光剝離藍(lán)寶石襯底的工藝研究,電鍍或鍵合金屬基板的工藝研究,表面粗化工藝研究等。而針對(duì)提高垂直結(jié)構(gòu)的LED光電性能的研究尚不充分,本論文的研究工作就是針對(duì)如何提高垂直結(jié)構(gòu)大功率GaN-LED芯片發(fā)光亮度這個(gè)問(wèn)題展開的。
　　實(shí)驗(yàn)和分析工作主要集中在三個(gè)方面:在垂直式GaN-LED結(jié)構(gòu)的前提下,高反射率反射鏡和LED光放大

3、的研究;p型GaN的低阻歐姆接觸的研究;n型GaN的電極設(shè)計(jì)和電流分布的研究。
　　論文的結(jié)構(gòu)如下:
　　首先,介紹了垂直結(jié)構(gòu)的GaN基LED的基本結(jié)構(gòu),目前所面臨的挑戰(zhàn),以及在后面章節(jié)中使用的LED光、電性能的測(cè)量方法。
　　其次,從提高P面金屬電極的反射率和光放大兩個(gè)方面,研究如何提高LED的亮度。
　　然后,在提高亮度的基礎(chǔ)上，嘗試改變不同的工藝條件,改善P面金屬電極的歐姆接觸,進(jìn)一步提高電流的利用效率,改