懸臂梁式MEMS探卡的設(shè)計(jì)和制造技術(shù).pdf

1、集成電路圓片級(jí)測(cè)試探卡主要應(yīng)用于分片封裝前對(duì)芯片電學(xué)性能進(jìn)行初測(cè)。隨著集成電路的發(fā)展，焊盤(pán)密度日益增加和電路工作速度不斷提高，由此產(chǎn)生的寄生電容和寄生電感會(huì)對(duì)傳統(tǒng)測(cè)試探卡的正常工作造成影響，難以得到正確的測(cè)試結(jié)果，從而難以對(duì)高密度、高速度電路芯片進(jìn)行測(cè)試。結(jié)合先進(jìn)的MEMS技術(shù)，本論文提出了一種采用鋁通孔導(dǎo)電、金屬自隔離結(jié)構(gòu)的MEMS探卡，探卡由臺(tái)階結(jié)構(gòu)的懸臂梁探針陣列構(gòu)成。本論文主要論述了一種懸臂梁式圓片級(jí)MEMS測(cè)試探卡的設(shè)計(jì)、制作

2、流程和導(dǎo)通電阻測(cè)試，探針的具體排列依據(jù)待測(cè)芯片(DUT)的管腳分布，同時(shí)測(cè)試結(jié)果顯示探針電學(xué)導(dǎo)通電阻小于1Q。 本文第一章主要概述了MEMS技術(shù)的發(fā)展歷史、MEMS器件的分類(lèi)以及部分常用的MEMS典型器件，同時(shí)介紹了MEMS探卡的發(fā)展?fàn)顩r和各種方式實(shí)現(xiàn)的MEMS探卡的優(yōu)缺點(diǎn)。 第二章推導(dǎo)了探卡懸臂梁結(jié)構(gòu)需要滿(mǎn)足的力學(xué)方程，從中得到探卡懸臂梁的尺寸數(shù)值，同時(shí)結(jié)合Ansys模擬結(jié)果驗(yàn)證設(shè)計(jì)的可行性。 第三章對(duì)探卡工藝