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文檔簡介
1、本論文結(jié)合科研項(xiàng)目，針對III-V族氮化物中存在的極化電場，自洽求解薛定諤方程和泊松方程。提出了利用及消除極化電場的方法，為GaN基LED工藝優(yōu)化提供理論基礎(chǔ)，并通過實(shí)驗(yàn)降低p型GaN歐姆接觸電阻，提高LED的內(nèi)量子效率。所做的研究工作主要分三個部分： 1.計(jì)算機(jī)模擬極化電場影響下，量子阱和超晶格中的一維薛定諤方程和柏松方程的自洽求解。計(jì)算得到電子和空穴的各級本征函數(shù)和本征值，該方法可以推廣到求解任意勢中的定態(tài)薛定諤方程。
2、 2.根據(jù)極化電場使能帶發(fā)生擺動，提高M(jìn)g雜質(zhì)的離化率，增大空穴濃度，提出利用InGaN/AlGaN超晶格做GaN基LED的p型接觸頂帽層，降低歐姆接觸電阻并充當(dāng)電流擴(kuò)展層作用。計(jì)算比較相同Mg摻雜條件下InGaN/AlGaN、AlGaN/GaN和InGaN/GaN三種超晶格的能帶結(jié)構(gòu)、Mg受主電離情況和平均空穴濃度。同時計(jì)算得到Mg摻雜濃度的最佳值，最后實(shí)驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了良好的p型歐姆接觸。 3.根據(jù)GaN基LED量子阱中存在的極
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