多孔CuAlMn形狀記憶合金的結(jié)構(gòu)、性能研究.pdf

1、本研究采用燒結(jié)-脫溶法以NaCl顆粒為造孔劑成功制備了孔隙率、孔徑可控的多孔CuAlMn形狀記憶合金樣品,為了進(jìn)一步提高材料的阻尼性能,本研究同時采用溶膠-凝膠法制備了聚苯乙烯填充多孔CuAlMn形狀記憶合金樣品。研究中對材料進(jìn)行了適當(dāng)?shù)臒崽幚?并對其進(jìn)行了宏、微觀形貌觀察、物相分析及阻尼性能分析。結(jié)果表明:
　　1.多孔CuAlMn形狀記憶合金優(yōu)化的制備工藝為:400MPa壓制+785℃保溫3h+985℃保溫3h。所得樣品為三維

2、貫通網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),其基體中孔洞分布均勻。
　　2.多孔CuAlMn形狀記憶合金優(yōu)化的固溶、淬火工藝為:樣品經(jīng)850℃~900℃固溶1小時后于油中進(jìn)行淬火。淬火后基體中產(chǎn)生于爐冷過程中的α相及γ2相完全消失,合金基體主要由自協(xié)作排列的M18R型板條狀馬氏體組成。研究中通過考察時效對多孔CuAlMn形狀記憶合金微觀組織及相變行為的影響,發(fā)現(xiàn)低溫短時母相時效可有效降低淬火空位的濃度,同時明顯細(xì)化馬氏體的尺寸,最終確定最佳的時效工藝為350℃

3、時效15min。
　　3.樣品中加入少量Ti元素可有效細(xì)化多孔CuAlMn形狀記憶合金的晶粒尺寸,分析表明Ti元素的最佳加入量為0.2wt％。
　　4.多孔CuAlMn形狀記憶合金的低頻阻尼行為研究表明,在升溫和降溫過程中,分別在200℃及150℃左右出現(xiàn)了內(nèi)耗峰,這兩個內(nèi)耗峰分別產(chǎn)生于逆、正馬氏體相變過程。與致密合金相比,多孔合金的阻尼能力獲得了大幅度提高。分析認(rèn)為,內(nèi)耗測量中在外加應(yīng)力作用下孔洞周圍的應(yīng)力集中與應(yīng)力模式轉(zhuǎn)