復合結構陰極及有機薄層對OLED性能的影響.pdf

1、有機電致發(fā)光器件作為新一代的平板顯示技術，由于它突出的技術和應用特點及其蘊藏的巨大的市場應用前景而廣受關注。影響有機電致發(fā)光器件性能的一個重要因素就是器件內空穴和電子的數量平衡，提高電子的注入和傳輸或抑制空穴的注入和傳輸是改善器件性能的有效途徑。鑒于此本文做了以下兩個方面的工作： 1．制作成復合結構的Al/Ni陰極，研究其對器件性能的影響。復合結構陰極中Al和Ni的厚度值有一個最優(yōu)化結果，通過實驗得出了二者的最佳厚度配比。引入L

2、iF薄層制作的復合結構陰極LiF/Al/Ni與LiF/Al電極器件相比較，在器件驅動電壓為18 V時，以LiF（0．3nm）/Al（60 nm）/Ni（60 nm）作為陰極的器件亮度達到約8448 cd/㎡，在200 mA／c㎡電流效率達到1．82 cd/A，比LiF/Al結構電極器件的1．46cd/A提高了近30％。結果表明復合結構陰極比純鋁電極有更好的電子注入能力，文中對其作用機理進行了解釋。 2．把常用的三種空穴阻擋材料B

3、CP、PBD、AIQ作為空穴緩沖層分別放在陽極ITO/NPB界面處與空穴傳輸材料NPB內部，實驗結果表明BCP作為空穴緩沖層的時侯，器件的性能最好。BCP緩沖薄層加入空穴傳輸材料NPB中間的器件，在器件驅動電壓為16V時，加BCP緩沖層器件亮度為1184 cd/㎡，驅動電壓為12V時電流效率達到1．33 cd/A。文中還通過比較不同結構、不同材料、緩沖層不同位置時取得的結果，解釋了不同材料在不同位置用于空穴緩沖層的作用機理，并對部分問題