稀磁性半導(dǎo)體Ni-,x-Sn-,1-x-O-,2-δ-一維納米結(jié)構(gòu)的制備、微結(jié)構(gòu)和磁性的研究.pdf

1、本文采用化學(xué)氣相沉積法分別制備了SnO2納米線和NixSn1-xO2-δ納米線及納米帶樣品，探索了獲得居里點(diǎn)在室溫以上的稀釋鐵磁性半導(dǎo)體納米線的制備方法和工藝條件；用X射線衍射(XRD)、選區(qū)電子衍射(SAED)、掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線能量色散譜(EDS)、透射電子顯微鏡(TEM)、振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)、光致發(fā)光譜儀(PL)，X射線光電子能譜儀(XPS)等表征手段，對(duì)樣品進(jìn)行了系統(tǒng)的研究，詳細(xì)研究了樣品的微結(jié)構(gòu)、形貌以及磁

2、性，并對(duì)其生長(zhǎng)機(jī)理和磁性來源進(jìn)行了探討。主要結(jié)論如下： 1.利用催化劑輔助，在Si襯底上沉積了SnO2納米線樣品，表面光滑，直徑分布在40-150nm之間，在軸向上直徑?jīng)]有明顯變化，長(zhǎng)度大于20微米，單晶。 2.利用化學(xué)氣相沉積法，在Si襯底上沉積了Ni-Sn1-xO2-δ納米線及納米帶樣品，納米線直徑在30rim-150nm之間，特征尺寸為50nm，納米帶特征尺寸為厚度33nm，寬度170nm，長(zhǎng)度大于2微米，單晶。

3、 3.討論了納米線及納米帶的生長(zhǎng)機(jī)制，認(rèn)為是氣－液－固機(jī)制控制其生長(zhǎng)，并通過增加金層厚度制備樣品的方法捕獲小液滴分裂細(xì)節(jié)。 4.在NixSn1-xO2-δ納米線及納米帶樣品的常溫磁化曲線上可以觀察到明顯的磁滯，表明樣品具有室溫鐵磁性，磁矩可達(dá)3.33μB/Ni，并且隨著摻入量的增加磁距先升后降。 5.通過XRD測(cè)試沒有發(fā)現(xiàn)Ni單質(zhì)或氧化物的峰，而且透射電鏡的觀察照片中也沒有發(fā)現(xiàn)磁性團(tuán)簇，XPS顯示Ni為離子態(tài)，可以