厚膠光刻技術(shù)研究.pdf

1、光在膠內(nèi)的衍射或散射是影響厚膠光刻質(zhì)量的一個(gè)重要原因.該文基于基爾霍夫標(biāo)量衍射理論和衍射角譜理論,建立了可較為真實(shí)地描述接觸式\接近式光刻中厚膠光場(chǎng)分布的有效方法,分析了掩膜的線寬、掩膜到抗蝕劑表面的距離以及抗蝕劑的厚度對(duì)光場(chǎng)分布的影響;曝光過(guò)程抗蝕劑內(nèi)所形成的潛像是影響最終光刻圖形質(zhì)量的關(guān)鍵,如何確定曝光后厚層光致抗蝕劑內(nèi)的PAC濃度,建立適合計(jì)算分析厚膠潛像的物理模型十分重要.基于抗蝕劑的光化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)理論,我們深入研究了曝光過(guò)程

2、中的非線性因素(包括工藝及其穩(wěn)定性)對(duì)厚膠光刻成像的影響.針對(duì)辱層抗蝕劑在曝光過(guò)程中介質(zhì)折射率發(fā)生變化及曝光參數(shù)隨抗蝕劑厚度變化的特點(diǎn),考慮厚膠內(nèi)光的衍射或散射,擴(kuò)展了DILL模型曝光參數(shù)定義范圍,提出適合于厚膠曝光過(guò)程模擬的增強(qiáng)DILL曝光模型;并開展了厚抗蝕劑曝光參數(shù)測(cè)量實(shí)驗(yàn),用統(tǒng)計(jì)理論中的趨勢(shì)面分析方法歸納演繹了曝光參數(shù)隨抗蝕劑厚度和工藝條件的變化規(guī)律;最后,根據(jù)新的厚膠曝光模型和MACK顯影模型編制了厚膠光刻模擬軟件,分析了抗蝕