ZnS納米線的模板法電沉積及特性研究.pdf

1、硫化鋅作為一種性能優(yōu)良的發(fā)光材料和光電材料擁有很好的應(yīng)用前景,所以制備納米半導(dǎo)體材料硫化鋅受到了眾多學(xué)者的關(guān)注。本文是采用模板法電沉積制備ZnS納米線,主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)果如下:
　　1.所謂模板法就是利用制備好的多孔氧化鋁（AAO）模板來制備納米線的一種方法。因此,首要的任務(wù)是制備多孔AAO模板,多孔AAO模板的制備采用二次陽板氧化法,通過實(shí)驗(yàn)找出制備AAO模板的最佳實(shí)驗(yàn)條件,并對(duì)多孔AAO模板進(jìn)行了X射線衍射（XRD）測(cè)試、掃描

2、電子顯微鏡（SEM）測(cè)試,XRD測(cè)試結(jié)果表明氧化鋁在（200）晶向發(fā)生明顯的擇優(yōu)取向,SEM測(cè)試結(jié)果表明再最佳條件下制備出的多孔AAO模板,孔徑分布均勻,大小均一。在此基礎(chǔ)上需要對(duì)AAO樣片進(jìn)行去鋁基、阻擋層等工作。本文通過自行設(shè)計(jì)的去鋁基（阻擋層）裝置對(duì)AAO樣片進(jìn)行去除鋁基和阻擋層,XRD測(cè)試結(jié)果表明,成功地去除了鋁基和阻擋層。
　　2.多孔AAO模板制備好之后,利用電子束蒸發(fā)在多孔AAO模板一面鍍一層金作為電極,然后將鍍有金

3、電極的多孔AAO模板和鉑金分別作為陰極和陽極在含有S、ZnCl2等的二甲基亞砜溶液中進(jìn)行電沉積,經(jīng)一定時(shí)間后取出模板,對(duì)樣片進(jìn)行XRD、SEM和PL測(cè)試,SEM測(cè)試結(jié)果表明在多孔AAO模板中沉積了ZnS納米線,其直徑和Al2O3孔徑一致,PL測(cè)試結(jié)果表明ZnS在420 nm和520 nm處有明顯的發(fā)光。
　　3.在成功制備ZnS納米線的基礎(chǔ)上,本文的創(chuàng)新點(diǎn)在于對(duì)ZnS納米線進(jìn)行Mn摻雜。目前為止ZnS:Mn的制備一般采用水熱法。本