硅中注氦誘生微孔對金吸除作用的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、我們注意到,在研究氫、氦離子注入誘生微孔的吸除作用時多以對金雜質(zhì)的吸除效果來對吸除工藝進行評估,因此該文對微孔吸除機理、金在硅中的擴散和分布以及半導體中離子注入的特點進行了描述.在該工作中,通過原子力顯微鏡(AFM)觀測到注氦的參比樣品中則無此圖像出現(xiàn),因此我們定性認為該研究中注入硅中的氦,在熱處理過程中的確形成了微孔.該研究主要采用摻金的雙面拋光片和單面拋光片制成的硅平面二極管為研究樣品,利用二極管反向漏電流密度J<,r>的變化,著重

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