紫外應(yīng)用的ITO薄膜研究.pdf

1、探測(cè)器及其制造技術(shù)廣泛地應(yīng)用于軍事、科技、民用等研究領(lǐng)域.隨著越來越高的需求和半導(dǎo)體材料制備技術(shù)的發(fā)展,機(jī)械性能好、化學(xué)穩(wěn)定和截止性能優(yōu)良的GaN基Ⅲ-氮族紫外光電器件受到人們的極大青睞.該論文以ITO薄膜制備及其在GaN紫外光電器件中的應(yīng)用為主要研究目的,介紹了ITO薄膜特性、紫外ITO膜制備、ITO-GaN的歐姆接觸和肖特基勢(shì)壘等方面所做的理論和實(shí)驗(yàn)工作,主要的研究?jī)?nèi)容包括:1.對(duì)ITO薄膜的透明導(dǎo)電特性進(jìn)行了理論分析,主要研究了其

2、導(dǎo)電機(jī)理、影響因素和用于紫外光譜區(qū)域的ITO薄膜的光學(xué)特性.2.探索了等離子體輔助電子束反應(yīng)蒸發(fā)ITO薄膜的沉積工藝,研究了基底溫度、蒸發(fā)速率、氧氣分壓以及等離子體參數(shù)等對(duì)ITO薄膜光、電特性的影響.所制備的ITO薄膜,在300~360nm光譜范圍內(nèi)最高透過率為80﹪(包含基底),電阻率可達(dá)3×10<'-4>Ω cm.3.探索了射頻和直流磁控濺射ITO薄膜的制備方法,分析研究了射頻濺射和直流濺射的沉積工藝及鍍膜后的退火處理.研制的ITO

3、薄膜,在300~360nm光譜范圍內(nèi)具有較高的透光性(包含基底的最高透過率為80﹪),其最佳電阻率可達(dá)8×10<'-4>Ω cm.4.介紹了金屬與半導(dǎo)體的歐姆接觸和肖特基接觸理論,對(duì)多種金屬與GaN形成歐姆接觸和肖特基接觸的方法及不同接觸特性的評(píng)價(jià)進(jìn)行了研究分析.5.探索了ITO薄膜與n-GaN的接觸特性,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:不需要高溫?zé)嵬嘶?ITO膜和高摻雜的n<'+>-GaN可以得到很好的歐姆接觸;通過高溫快速熱退火,ITO膜與低摻雜n-