基于IGBT200kHz高頻感應(yīng)加熱電源的研究.pdf_第1頁
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1、目前，在大功率超音頻以上感應(yīng)加熱電源中一般有IGBT和MOSFET兩種器件可供選擇。國內(nèi)外在100kHz以上的固態(tài)高頻感應(yīng)加熱電源大都采用功率MOSFET器件。由于MOSFET一般單管功率比較小。而功率等級(jí)很高的IGBT的開關(guān)損耗大，特別是電流拖尾的存在，使IGBT在高頻狀態(tài)下的關(guān)斷損耗很大，很大程度上限制了其工作頻率?；谶@種情況，本文以IGBT為功率開關(guān)器件，采用時(shí)間分割的方式，能在開關(guān)器件頻率不變的情況下實(shí)現(xiàn)電源的高頻化：若N個(gè)橋

2、并聯(lián)，采用分時(shí)控制的方式分時(shí)工作，則單橋的工作頻率能夠降低到系統(tǒng)頻率的1/N。這樣，既能降低開關(guān)管的損耗，又能提高效率，并能簡(jiǎn)化電源的結(jié)構(gòu)，使控制更加簡(jiǎn)單。另外，針對(duì)感應(yīng)加熱系統(tǒng)參數(shù)的非恒定性，本文研究了采用全數(shù)字鎖相環(huán)的頻率跟蹤方式并在FPGA中進(jìn)行設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，保證感應(yīng)加熱電源的高效運(yùn)行。
　　 本文在深入分析感應(yīng)加熱電源主電路結(jié)構(gòu)及控制方案的基礎(chǔ)上，選擇不控整流加Buck斬波調(diào)功的串聯(lián)諧振感應(yīng)加熱電源進(jìn)行研究設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。并建立了

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