基于SiGe工藝的5G單片集成壓控振蕩器的設(shè)計(jì)研究.pdf

1、近幾年無線通訊系統(tǒng)蓬勃地發(fā)展，推動(dòng)了低成本、低功耗集成的無線收發(fā)機(jī)的研究與開發(fā)。片上系統(tǒng)(SOC)可以滿足上述對(duì)接收機(jī)系統(tǒng)的要求。SOC工作在混合信號(hào)環(huán)境下，射頻/模擬和數(shù)字電路集成在同一芯片上。與此同時(shí)，隨著Si基工藝的不斷發(fā)展，其制造成本不斷降低，使得SOC具有無限的魅力。它給電路設(shè)計(jì)者帶來了極大的挑戰(zhàn)，特別是設(shè)計(jì)單片集成的壓控振蕩器(VCO)電路。 VCO在無線接收機(jī)中作為上或下混頻的重要組成部分，必須具有非常低的相位噪聲

2、和高的效率來滿足系統(tǒng)的需求。為了滿足上述條件，VCO必須具有高Q值的振蕩電路，較小的有源器件噪聲。然而，傳統(tǒng)的Si工藝缺少高Q值的電感和低噪聲的晶體管，這成為RF設(shè)計(jì)的主要限制因素。 本論文設(shè)計(jì)了單片集成的工作在5-6G的SiGe差動(dòng)壓控振蕩器，VCO采用LC振蕩環(huán)路。電路采用0.35μm-BiCMOS-SiGe工藝。文中詳細(xì)的分析了VCO設(shè)計(jì)采用BiCMOS-SiGe工藝的優(yōu)點(diǎn)。給出了振蕩器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的流程。同時(shí)給出了差動(dòng)電感設(shè)