ZnO一維半導(dǎo)體納米材料及陣列的合成、性能與機(jī)理研究.pdf

1、分類號學(xué)號610120200670128學(xué)校代碼學(xué)校代碼10487密級碩士學(xué)位論文碩士學(xué)位論文ZnOnO一維半導(dǎo)體納米材料及陣列的合成、性一維半導(dǎo)體納米材料及陣列的合成、性能與機(jī)理研究能與機(jī)理研究學(xué)位申請人：學(xué)位申請人：張清風(fēng)張清風(fēng)學(xué)科專業(yè)：學(xué)科專業(yè)：凝聚態(tài)物理凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：指導(dǎo)教師：高義華高義華教授教授答辯日期：答辯日期：20082008年5月獨(dú)創(chuàng)性聲明獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的

2、研究成果。盡我所知，除文中已經(jīng)標(biāo)明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果。對本文的研究做出貢獻(xiàn)的個人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。學(xué)位論文作者簽名：日期：年月日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)華中科技