40GHz GaAs行波量子阱電光調(diào)制器的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該論文采用行波量子阱結(jié)構(gòu)來(lái)設(shè)計(jì)40GHz的電光調(diào)制器.為實(shí)現(xiàn)高帶寬,低驅(qū)動(dòng)的要求,該論文著重在量子阱的光學(xué)特性和器件的微波特性?xún)蓚€(gè)方面進(jìn)行了深入的研究.該論文首先根據(jù)量子限制Stark效應(yīng),發(fā)展了等效寬度思想,提出了把單量子阱結(jié)構(gòu)的有限深勢(shì)阱的分析轉(zhuǎn)化為無(wú)限深勢(shì)阱模型的顯式公式,從而大大簡(jiǎn)化了電場(chǎng)下量子阱結(jié)構(gòu)的分析;接著利用轉(zhuǎn)移矩陣,把周期性的量子阱結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化為三層結(jié)構(gòu),得到了實(shí)際采用的非對(duì)稱(chēng)三阱結(jié)構(gòu)量子阱的場(chǎng)分布,并討論了量子阱結(jié)構(gòu)的偏

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