微帶結環(huán)行器設計與仿真研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、鐵氧體微帶環(huán)行器是當代通信系統(tǒng)中的一個重要元器件,由于具有體積小、便于集成等優(yōu)點,從而成為當前環(huán)行器研究的主要對象,開展微帶環(huán)行器的設計和制作研究具有重要的意義。同時,隨著微波集成電路的迅速發(fā)展,要求環(huán)行器向小型化、集成化方向發(fā)展,因而研究能夠與微波電路集成的微帶環(huán)行器也具有重要的意義。本文主要開展了塊材微帶環(huán)行器和能與微波電路集成的厚膜微帶環(huán)行器的設計、仿真等研究工作。 本文首先基于傳統(tǒng)塊材環(huán)行器的基本工作原理,選擇YIG旋磁

2、材料,設計了一個中心頻率為5GHz的微帶結環(huán)行器。采用HFSS軟件對其進行了仿真和優(yōu)化,結果表明在3.0~4.7GHz頻率范圍內,環(huán)行器顯示出良好的環(huán)行性能,其隔離度大于18dB,插損小于1dB。通過采用雙Y結結構進行優(yōu)化,結果表明雙Y結結構使環(huán)行器的帶寬明顯增加,在3.5~9.5GHz的頻率范圍內,顯示出很好的環(huán)行性能,插損最低為0.06dB,隔離損耗都大于28dB。環(huán)行器的主要結構參數(shù)為:中心導帶半徑為2.75mm,導帶線寬度1.5

3、5mm,鐵氧體厚度為2mm?;谠O計并優(yōu)化后的環(huán)行器結構,采用光刻工藝制備了環(huán)行器樣品,測試結果表明,在2.5~5.5GHz的頻率范圍內,環(huán)行器的最小插損小于1.1dB,反向隔離最大達到22dB。 其次,探索了利用“鐵氧體厚膜/介質基片”結構來設計與制作小型化自偏置集成環(huán)行器。本文設計并研究了集成環(huán)行器結構以及材料參數(shù)對環(huán)行性能的影響。研究結果表明,集成環(huán)行器的環(huán)行性能不但與鐵氧體的絕對厚度有關,而且與鐵氧體和基片介質的相對厚度

4、有關。環(huán)行器的微波傳輸特性與鐵氧體材料的飽和磁化強度密切相關。當環(huán)行器中心導帶圓盤半徑尺寸和導帶線尺寸在設計尺寸5%的范圍內變化時,集成環(huán)行器仍然顯示出較好的環(huán)行性能。最后,通過優(yōu)化得到的集成環(huán)行器結構參數(shù)為:中心圓盤半徑為0.97mm,導帶線寬度為0.6mm,鐵氧體厚度為0.1mm,基片采用厚度為0.2mm的三氧化二鋁介質。采用光刻工藝制備了“BaFe12O19/Al2O3”集成環(huán)行器,利用Agilent8720網(wǎng)絡分析儀測試了其微波

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