K-波段接收機(jī)前端電路模塊之CMOS設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本課題研究利用TSMC0.18-μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)來設(shè)計K-波段接收機(jī)前端關(guān)鍵電路模塊，如低噪聲放大器，混頻器和壓控振蕩器。首先，使用TSMC0.18-μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)來設(shè)計一個應(yīng)用于K-波段的可變增益低噪聲放大器。使用共平面波導(dǎo)傳輸線實現(xiàn)片上電感以及實現(xiàn)匹配元件，以減低高頻下有損耗硅基底的影響。在電路的高增益模式中，仿真得到小信號增益為14.4dB，而噪聲系數(shù)為2.4dB左右。該可變增益低噪聲放大器的增益可變范圍是9dB。

2、 本課題還設(shè)計了一個應(yīng)用于6-34GHz的分布式漏極混頻器。這個混頻器電路是使用了TSMC0.18-μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS的共源的NMOS晶體管來組成的一個簡單分布式結(jié)構(gòu)，并且其轉(zhuǎn)換損耗在6-34GHz之間均優(yōu)于6dB。同時，該分布式混頻器實現(xiàn)了低功耗和高線性度，非常適合寬帶應(yīng)用。 最后，利用TSMC0.18-μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)來設(shè)計一個應(yīng)用于22GHz低相位噪聲且寬帶頻率調(diào)整范圍的NMOS 交差耦合推-推壓控振蕩器(VCO)。電

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