半導體氧敏元件工藝與特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文在研究了n型摻雜SrTiO3氧敏材料敏感及導電機理的基礎(chǔ)上，著重對SrTiO3材料進行了La和Nb復合摻雜研究。通過實驗設(shè)計得出了n型摻雜的最佳配方。分別以固相合成法和溶膠-凝膠法制備了n型摻雜SrTiO3氧敏元件，比較分析了固相合成法和溶膠-凝膠法的優(yōu)缺點；對所得的樣品進行穩(wěn)定性實驗研究，考察了熱處理對元件性能的影響；對部分樣品進行了貴金屬Pt的表面修飾，考察了貴金屬催化對SrTiO3氧敏材料響應速率的影響；此外，利用溶膠凝膠法考

2、察了樣品在中低溫(400℃)下的敏感特性，并得到了最優(yōu)摻雜配方時比較理想的靈敏度。
　　 利用X光衍射(XRD)和掃描電子顯微分析(SEM)等現(xiàn)代分析手段對所制備的樣品進行了表征。XRD圖譜顯示，固相合成法和溶膠-凝膠法制備的前驅(qū)粉體均形成了良好的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)；SEM圖片顯示，固相合成法所制備的樣品表面呈多孔狀，有利于氣體分子的吸附，且材料的晶粒尺寸均勻，而溶膠—凝膠法制備的樣品晶粒尺寸較大，且氣孔少，團聚較為嚴重；SEM背散射電

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