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文檔簡介
1、硅酸鹽基質的發(fā)光材料由于具有良好的化學穩(wěn)定性和強發(fā)光性能,已經(jīng)發(fā)展成為一類重要的光致發(fā)光材料。Eu2+離子在晶體中受到晶場的作用,在外界光的激發(fā)下發(fā)生的是5d→4f的特征寬發(fā)射躍遷。因此,基質對發(fā)光光譜的影響很大,不同基質中發(fā)射光譜位置變化很大,發(fā)光波段可以從紫外到紅外區(qū)。在堿土硅酸鹽M2MgSi2O7中,可以通過調節(jié)堿土金屬陽離子的置換濃度來達到調節(jié)發(fā)光峰的位置,以此得到發(fā)射所需要波段的熒光粉。本論文選擇Ca2MgSi2O7作為基質材
2、料,用高溫固相法制備了Eu2+摻雜的Sr2MgSi2O7熒光粉,并且通過用Sr2+、Ba2+取代Ca2+來研究陽離子的置換對熒光粉的結構和發(fā)光性能的影響。同時為了改善纖維的發(fā)光強度用溶膠/凝膠和靜電紡絲技術制備Ca2MgSi2O7∶Eu2+纖維,并討論了纖維的發(fā)光性能。
通過高溫固相法合成了Eu2+摻雜的Sr2MgSi2O7系列熒光粉。通過XRD分析可知,一定范圍的Eu2+摻雜并沒有對結構造成影響,晶格常數(shù)稍有不同。其激發(fā)
3、光譜有一個很寬的吸收225-425nm,這與近紫外半導體芯片的發(fā)射光譜很匹配。當摻雜濃度為5%時發(fā)光最強,發(fā)藍光,其色度坐標為(0.1328,0.1739)。所合成的熒光粉的發(fā)射光譜由兩個發(fā)光峰組成,分別為496nm和466nm,這是由于Eu2+的4f65d1能級躍遷到4f7能級引起的。濃度猝滅機制是電偶極-偶極相互作用并且計算出能量傳遞的臨界距離Rc=13.78(A)
通過高溫固相法合成Sr2+置換的系列熒光粉Ca1.9
4、4-2rSr2xEu0.06MgSi2O7(x=0,0.17,0.37,0.57,0.77,0.97)。物相分析結果顯示,隨著Sr2+置換量的增加,所有衍射峰向小角度方向移動。品格常數(shù)變大,晶面間距變大,晶胞體積變大。發(fā)光峰的位置隨著Sr2+置換濃度的增加發(fā)生了藍移,其發(fā)光強度逐漸增強在完全取代Ca2+時發(fā)光強度達到最大值。通過適當?shù)膿诫s可以得到470-536nm之間任意波段的發(fā)光粉。發(fā)光光譜都是寬發(fā)光峰,這是由于Eu2+離子的4f65
5、d1→4f(8S7/2)躍遷引起的。色度坐標圖的研究發(fā)現(xiàn),隨著Sr2+置換濃度的增加發(fā)光顏色從黃綠色(0.303,0.550)變化到綠色(0.194,0.433)又變化到藍色(0.132,0.174);可以通過改變摻雜濃度實現(xiàn)色度的可調。
制備了Ba2+置換的系列熒光粉Ca1.94-2xBa2xEu0.06MgSi2O7(x=0,0.07,0.17,0.27,0.37,0.47,0.67,0.77,0.87)。研究了Ba2
6、+取代Ca2+離子對熒光粉的結構和發(fā)光性能的影響。隨著濃度的增加,熒光粉的結構從原來P(4)21m的[Ca2MgSi2O7]作變化為P(3)的[BaCa2MgSi2O8]。發(fā)光顏色會從黃綠色(0.303,0.550)為藍色(0.139,0.118)。其發(fā)光強度隨著Ba2+置換量的增加先減小后增大。
通過溶膠/凝膠和靜電紡絲技術及炭還原氣氛中煅燒工藝制備Ca2MgSi2O7∶Eu2+纖維。FESEM顯示煅燒后纖維直徑在0.6
7、-0.9μm之間,纖維晶粒由于“熱切槽”沿纖維取向方向排列,纖維直徑和晶粒直徑相當。纖維的發(fā)光強度幾乎是高溫固相法制備的粉末樣品的2倍。纖維的煅燒溫度(1150℃)較低,利于缺陷的減少和能源節(jié)省。研究的發(fā)光纖維在250-500nm有很強的激發(fā)光譜,與近紫外LED芯片的發(fā)射光譜(360-400nm)和藍光發(fā)射光譜(450nm)很匹配。
本論文創(chuàng)新點是:首次通過溶膠/凝膠和靜電紡絲技術及炭還原氣氛中煅燒工藝制備Ca2MgSi2
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