ATO納米導(dǎo)電粉體的制備及氧化物摻雜改性研究.pdf

1、本論文系統(tǒng)介紹了ATO(銻摻雜氧化錫)納米導(dǎo)電粉體的特性，導(dǎo)電機(jī)理以及常見(jiàn)制備方法。ATO導(dǎo)電粉體具有良好的導(dǎo)電性，淺色透明性等優(yōu)點(diǎn)，是目前抗靜電材料中的研究熱點(diǎn)，有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。本實(shí)驗(yàn)以SnCl4·5H2O和SbCl3為主要原料，采用水熱法制得納米級(jí)ATO導(dǎo)電粉體。運(yùn)用X-射線(xiàn)衍射(XRD)，透射電鏡(TEM)等測(cè)試方法對(duì)ATO粉體進(jìn)行表征。并對(duì)粉體的導(dǎo)電性進(jìn)行測(cè)試。 研究了制備工藝(Sb/Sn摩爾比，反應(yīng)pH值，水熱反

2、應(yīng)溫度)對(duì)ATO粉體粒徑和導(dǎo)電性能的影響，并探討影響機(jī)理，得到最佳工藝參數(shù)，即Sb/Sn摩爾比為7％，反應(yīng)pH值取2，水熱反應(yīng)溫度在180℃。在此條件下制得ATO電阻率為2.1(Ω·cm)，粒徑為6.1(nm)。 水熱法很好地解決制備過(guò)程中存在的團(tuán)聚問(wèn)題，對(duì)粉體分散性能有較好改善，制得粉體沒(méi)有明顯團(tuán)聚現(xiàn)象介紹了氧化物摻雜對(duì)ATO導(dǎo)電性改變的作用機(jī)制。以最佳工藝參數(shù)條件下制得的ATO粉體作為參考標(biāo)準(zhǔn)，研究了不同氧化物(氧化錳，氧化