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文檔簡介
1、本文利用一種電路模型分析了傳統(tǒng)的SGACM-APD 頻響特性,然后對我們依據(jù)暗電流和頻響特性考慮設(shè)計的雪崩光電二極管的結(jié)構(gòu)進行改進,不僅沒有降低暗電流特性和頻響特性,同時在保證擊穿電壓只提升2V、工作增益達到8的情況下,完全抑制了邊緣提前擊穿特性。
通過雪崩光電二極管的光電效應,光照射在雪崩光電二極管上,在吸收區(qū)產(chǎn)生電子空穴對。然后在外加偏壓的驅(qū)動下,進入倍增層發(fā)生雪崩,形成光電流。本文主要分析的是SAGCM 結(jié)構(gòu)的InG
2、aAs/InP 材料雪崩光電二極管。本文在已有的電路模型基礎(chǔ)上,在ADS中進行模擬仿真,分析雪崩光電二極管各個不同層厚度對頻響的影響,以及正面和底部光照射對于頻響的影響。然后討論了目前針對雪崩光電二極管存在的邊緣提前擊穿問題所使用的幾種結(jié)構(gòu),并根據(jù)泊松方程,計算出雪崩光電二極管內(nèi)部電場方程,通過matlab模擬仿真出在不同電壓下的電場分布。同時根據(jù)仿真結(jié)果,提出了一種新的結(jié)構(gòu),通過分析發(fā)現(xiàn)不僅對于帶寬沒有造成影響,同時邊緣擊穿特性也得到
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