納米半導(dǎo)體材料的配位—均勻沉淀法合成.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文以納米材料的研究為背景,以半導(dǎo)體納米材料的制備為重點,介紹了相關(guān)納米材料領(lǐng)域中的研究進(jìn)展和我們的研究工作成果。實驗采用配位—均勻沉淀法,制備了一系列新穎的半導(dǎo)體納米材料。本論文主要由以下三個方面組成:
   1. 采用配位—均勻沉淀法成功地合成了Cd(OH)2 納米帶。將Cd(OH)2 納米帶在350 oC 下煅燒4 h 得到形貌相似的CdO 半導(dǎo)體納米材料。通過X 射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM

2、)、電子選區(qū)衍射(SAED)、紫外—可見光譜(UV-Vis)、熱重分析(TG/DTA)等手段對得到的納米帶進(jìn)行了表征。研究了反應(yīng)溫度、反應(yīng)時間、氨水濃度和不同陰離子對Cd(OH)2 形貌的影響。并初步探討了Cd(OH)2 納米帶的形成過程。
   2. 采用配位—均勻沉淀法成功地合成了Cd(OH)2 超長納米線。將Cd(OH)2納米線在350 oC 下煅燒4 h 得到形貌相似的CdO 納米線材料。采用X 射線衍射(XRD)、掃描

3、電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、元素分析(EDS)、紫外—可見光譜(UV-Vis)等對產(chǎn)物的組成、結(jié)構(gòu)、形態(tài)、光學(xué)性能進(jìn)行了表征,并探討了反應(yīng)溫度、氨水濃度、硝酸銀用量、煅燒溫度等條件對產(chǎn)物形貌的影響。反應(yīng)體系中Ag+的引入對一維納米材料的生長有一定的導(dǎo)向作用。
   3. 采用配位—均勻沉淀法,制備了具有光催化活性的超細(xì)納米ZnO 粉體,并利用透射電鏡(TEM)、X 射線衍射(XRD)、Zeta 電位和紫外—可見光譜(UV

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