不同鹽密和灰密對(duì)110kV復(fù)合絕緣子污穢閃絡(luò)特性的影響研究.pdf

1、復(fù)合絕緣子因其重量輕、機(jī)械強(qiáng)度高、耐污閃性能好、運(yùn)行維護(hù)方便等優(yōu)點(diǎn)在電力系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用。但復(fù)合絕緣子仍不斷發(fā)生污閃，這與現(xiàn)有的人工污穢試驗(yàn)僅考慮鹽密的影響不無(wú)關(guān)系。因此，本文選擇110kV復(fù)合絕緣子為試品，在人工霧室中研究了灰密(NSDD)和鹽密(ESDD)對(duì)其污閃特性的影響，并分析了復(fù)合絕緣子的閃絡(luò)過(guò)程和閃絡(luò)機(jī)理。 本文研究表明：人工污穢試驗(yàn)中，復(fù)合絕緣子污閃電壓Uf與 ESDD和NSDD均有關(guān)，但二者的影響是彼此獨(dú)立的

2、。隨著ESDD 或NSDD的增加，其Uf均按冪函數(shù)規(guī)律降低，ESDD和NSDD對(duì)Uf影響的特征指數(shù)分別為0.106、0.140, 即對(duì)于復(fù)合絕緣子，灰密的影響大于鹽密，這與瓷絕緣子相反。如普通懸式瓷絕緣子分別為0.24、0.14?；颐軐?duì)污閃電壓影響的原因有二：一是吸收更多的水分，二是阻礙復(fù)合絕緣子的憎水性的遷移。通過(guò)對(duì)大量試驗(yàn)數(shù)據(jù)及試驗(yàn)結(jié)果的分析，本文得到110kV復(fù)合絕緣子污閃電壓可表示為： 。 通過(guò)對(duì)110kV復(fù)合絕緣子不同