氮化鉭壓阻薄膜研究.pdf

1、本論文系統(tǒng)研究了射頻磁控濺射工藝參數(shù)對氮化鉭薄膜的影響和電子束蒸發(fā)工藝參數(shù)對氧化鋁薄膜的影響，優(yōu)化了兩種薄膜的生長工藝條件，制備出了可供下一步航空應(yīng)力傳感器研究的薄膜材料，嘗試了應(yīng)力傳感器原型器件的初步研究，為以后實(shí)現(xiàn)在真實(shí)發(fā)動機(jī)葉片上制作應(yīng)力傳感器進(jìn)行了有益的探索。在整個研究過程中得出如下結(jié)果: 1.通過在Si基片上制備氮化鉭薄膜和考慮器件使用的具體環(huán)境(即測量高溫高壓下葉片的應(yīng)力，需要的氮化鉭薄膜需優(yōu)先具有高溫穩(wěn)定性、電阻溫

2、度系數(shù)小等性能，其次是具有合適的應(yīng)變因子)發(fā)現(xiàn): 氮分壓、濺射功率、工作總壓對薄膜的生長影響明顯，基片溫度對薄膜生長的影響要小一些;在氮分壓8％，基底溫度550℃，濺射功率200W、工作總壓0.2Pa條件下制備的樣品基本滿足了上述要求。找到了氮分壓、濺射功率、工作總壓對薄膜的影響，重點(diǎn)研究了氮分壓對薄膜微結(jié)構(gòu)、表面、電阻率、沉積速率、電阻溫度系數(shù)的影響。 2.通過采用電子束蒸發(fā)制備氧化鋁薄膜研究發(fā)現(xiàn):薄膜制備溫度均在85