InGaAs表面粗糙化的研究.pdf

1、半導體器件的應用和發(fā)展，要求深入理解外延生長的基本物理過程，分析生長條件對外延薄膜質量的影響，以便更好地控制薄膜工藝以及薄膜的結構和性能，得到高質量的外延薄膜和預期的器件結構。隨著器件體積不斷減小，外延薄膜的表面或界面已經(jīng)成為器件的重要組成部分，其表面形貌對器件性能的影響越來越大。本文主要研究 MBE生長 InGaAs／GaAs薄膜表面粗糙化與As保護氣壓的關系，獲得在退火過程中不同 In組分 InGaAs／GaAs外延薄膜表面形貌隨A

2、s保護氣壓的變化規(guī)律。
　　1.研究 MBE/LT-STM的調(diào)試，總結 MBE/LT-STM調(diào)試的成功經(jīng)驗和注意事項，規(guī)范儀器設備的操作。同時，對樣品盤進行改進，拓展了儀器的研究范圍。
　　2.成功設計并制備 STM用探針的電化學腐蝕裝置，總結該裝置制備高質量 STM用探針的操作方法，制備了高質量 STM用探針。
　　3.研究 InGaAs／GaAs異質外延薄膜表面的粗糙化過程，研究發(fā)現(xiàn)：在退火過程中，退火溫度和時間相