PI-SiO-,2--Al-,2-O-,3-納米復(fù)合薄膜的制備與性能.pdf

1、聚酰亞胺（polyimide，PI）由于具有優(yōu)異的介電、機(jī)械、熱性能，廣泛應(yīng)用在電氣電子、微電子和航天航空等行業(yè)之中。近年來，國內(nèi)外對聚酰亞胺的制備和各項性能的研究進(jìn)行得十分廣泛和深入。為了提高聚酰亞胺的性能，將聚酰亞胺與無機(jī)納米氧化物復(fù)合的方法受到了廣泛的關(guān)注。然而，無機(jī)納米氧化物作為無機(jī)相與有機(jī)基體的相容性有待于進(jìn)一步提高。 本文以3-氨丙基三甲氧基硅烷（APTMOS）為前驅(qū)體，將其與均苯四甲酸酐（PMDA）反應(yīng)，改變其結(jié)構(gòu)

2、制得改性偶聯(lián)劑；以4，4’-二氨基二苯醚（ODA）和均苯四甲酸酐為單體，以N，N-二甲基乙酰胺（DMAc）為溶劑，分別以SiO2溶膠和Al2O3溶膠為無機(jī)氧化物并使用改性偶聯(lián)劑，采用原位聚合法制備了PI/SiO2和PI/Al2O3-SiO2復(fù)合薄膜。采用傅里葉變換紅外光譜（FTIR）、掃描電子顯微鏡（SEM）等方法對所制備的復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了表征。結(jié)果表明：改性偶聯(lián)劑的摻入使復(fù)合薄膜中的無機(jī)粒子的粒度明顯下降。通過對復(fù)合薄膜的擊

3、穿場強(qiáng)、耐電暈時間、介電譜及熱穩(wěn)定性的測試，研究了改性偶聯(lián)劑的使用對兩種復(fù)合薄膜的性能的影響及復(fù)合薄膜的性能與無機(jī)氧化物含量的關(guān)系。結(jié)果表明，摻有改性偶聯(lián)劑的PI/SiO2復(fù)合薄膜的擊穿場強(qiáng)在SiO2含量為20wt％時達(dá)到最大值（326kV/mm），是純PI薄膜1.5倍；耐電暈時間在SiO2含量為20wt％時達(dá)到最大值（26.4h），是純PI薄膜耐電暈時間的14倍；當(dāng)SiO2含量為15wt％時各熱分解溫度達(dá)到最大值。摻有改性偶聯(lián)劑的PI