一維和二維光子晶體的特性研究.pdf

1、基于光子晶體器件的研究是一個具有重要應用前景的研究課題，越來越受到國際同行的重視。通過計算光子晶體的特性，尋找符合要求的的光子晶體微結構是制作光子晶體的必要環(huán)節(jié)。 對于一維光子晶體部分，本文利用特征傳輸矩陣法研究了一維分層結構光子晶體的反射率特性與其微結構的關系，斜入射對反射率特性的影響，以及缺陷模的特性與缺陷層參數(shù)、缺陷類型的關系。利用平面波展開法研究了無限周期一維光子晶體的能帶結構及其帶有缺陷時的能帶結構。通過一維光子晶體在

2、不同角度傳播時的能帶結構可以看出，TE模和TM模能帶結構隨著傳播角度的變化趨勢卻并不相同。 對于二維光子晶體部分，利用平面波展開法研究了正方結構和三角結構二維光子晶體的能帶結構與其微結構的關系，并利用平面波展開法的全矢量公式研究了斜入射對二維光子晶體能帶結構的影響。從計算結果中可以得到以下結論：不論是正方形結構還是三角型結構，盡管'TE模和TM模的色散曲線形狀很相似，但是兩者的帶隙卻并不相同，尤其是正方形結構在<11>方向的第一