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文檔簡介
1、隨著微電子機械系統(tǒng)(MEMS)科研開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的快速發(fā)展,MEMSCAD(計算機輔助設(shè)計)的需求日益顯現(xiàn)。MEMS表面制造加工技術(shù)中的犧牲層腐蝕技術(shù)對器件的性能有著重要影響,因此利用MEMSCAD技術(shù)對犧牲層腐蝕過程進行模擬和控制對MEMS器件的制造有著重要的指導(dǎo)意義?,F(xiàn)有的犧牲層腐蝕模型僅停留在平面二維階段,并沒有真正意義的三維模型。隨著加工工藝以及工藝模擬的逐步深入,建立犧牲層腐蝕的三維模型將成為最終目標?,F(xiàn)階段根據(jù)氫氟酸腐蝕氧化硅
2、的化學(xué)機理以及溶液的擴散機制已經(jīng)建立了很多平面腐蝕模型,這些模型無法描述腐蝕前端面的具體三維形貌;而且傳統(tǒng)模型存在很多缺陷,導(dǎo)致模擬結(jié)果并不十分精確。建立三維腐蝕模型的關(guān)鍵在于腐蝕前端面的實現(xiàn)。由于犧牲層內(nèi)部腐蝕速率不均勻?qū)е虑岸嗣娌⒉皇撬酵七M。 本文首先對傳統(tǒng)模型進行改進,使模型精度提高,并對改進模型進行求解與模擬。其次建立犧牲層腐蝕的三維模型,直觀的觀察腐蝕前端的三維形貌。針對以上研究重點,主要研究工作包括:利用已有腐蝕模
3、型的研究建立改進的二維腐蝕模型,加入擴散系數(shù)的變化對腐蝕的影響,提高模型精度。建立簡單的犧牲層腐蝕三維模型。從總體效果出發(fā),利用降維思想建立基于擴散方程的三維犧牲層腐蝕模型,實現(xiàn)對基本幾何結(jié)構(gòu)的三維腐蝕過程模擬。選取并適當(dāng)優(yōu)化數(shù)值求解算法,對模型進行數(shù)值求解,提高算法的效率。利用C++及OpenGL,編程,實現(xiàn)三維犧牲層腐蝕前端面的圖像輸出。最后對模擬結(jié)果進行驗證。 本文首先介紹了氫氟酸(HF)腐蝕二氧化硅(SiO2)的化學(xué)機理
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