基于并聯(lián)功率MOSFET逆變器的研究及實(shí)現(xiàn).pdf

1、論文研究的主要目的是設(shè)計(jì)基于并聯(lián)MOSFET的低壓伺服逆變器。圍繞基于并聯(lián)功率MOSFET的逆變器的設(shè)計(jì)，從理論分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證兩方面對(duì)逆變器中多路并聯(lián)功率器件的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)進(jìn)行了研究。 論文在分析功率MOSFET特性及工作原理的基礎(chǔ)上，針對(duì)低壓伺服驅(qū)動(dòng)器中輸入電壓低，輸出電流大的要求，采用了功率MOSFET器件并聯(lián)方案，設(shè)計(jì)了逆變器的主回路。在從理論上分析逆變器中功率MOSFET開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程中出現(xiàn)的電壓尖峰和電流尖峰形成原因的基礎(chǔ)

2、上，研究設(shè)計(jì)了適當(dāng)?shù)木彌_電路來(lái)抑制功率器件開(kāi)通關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰，并給出了緩沖電路中各元件參數(shù)的理論推導(dǎo)計(jì)算公式。此外，根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，在分析了比較常用驅(qū)動(dòng)芯片特點(diǎn)的基礎(chǔ)上，計(jì)算出了驅(qū)動(dòng)電路的相關(guān)參數(shù)，并設(shè)計(jì)了可靠的驅(qū)動(dòng)電路。針對(duì)并聯(lián)的功率MOSFET電流不均衡的現(xiàn)象，論文分析了并聯(lián)的功率MOSFET的電流分配不均衡的原因，用柵極電阻補(bǔ)償?shù)姆椒▽?duì)動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)模式下的電流不均衡的問(wèn)題進(jìn)行了解決，最后達(dá)到了很好的均流效果