基于并聯(lián)功率MOSFET逆變器的研究及實現(xiàn).pdf

1、論文研究的主要目的是設(shè)計基于并聯(lián)MOSFET的低壓伺服逆變器。圍繞基于并聯(lián)功率MOSFET的逆變器的設(shè)計，從理論分析和實驗驗證兩方面對逆變器中多路并聯(lián)功率器件的驅(qū)動和保護進行了研究。 論文在分析功率MOSFET特性及工作原理的基礎(chǔ)上，針對低壓伺服驅(qū)動器中輸入電壓低，輸出電流大的要求，采用了功率MOSFET器件并聯(lián)方案，設(shè)計了逆變器的主回路。在從理論上分析逆變器中功率MOSFET開通關(guān)斷過程中出現(xiàn)的電壓尖峰和電流尖峰形成原因的基礎(chǔ)

2、上，研究設(shè)計了適當(dāng)?shù)木彌_電路來抑制功率器件開通關(guān)斷時產(chǎn)生的電壓尖峰，并給出了緩沖電路中各元件參數(shù)的理論推導(dǎo)計算公式。此外，根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，在分析了比較常用驅(qū)動芯片特點的基礎(chǔ)上，計算出了驅(qū)動電路的相關(guān)參數(shù)，并設(shè)計了可靠的驅(qū)動電路。針對并聯(lián)的功率MOSFET電流不均衡的現(xiàn)象，論文分析了并聯(lián)的功率MOSFET的電流分配不均衡的原因，用柵極電阻補償?shù)姆椒▽討B(tài)開關(guān)模式下的電流不均衡的問題進行了解決，最后達(dá)到了很好的均流效果