溶膠-凝膠法制備ZnO薄膜及其性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、氧化鋅(ZnO)是一種典型的II-VI族寬帶隙化合物半導體材料，屬于六角晶系6mm點群，它的禁帶寬度為3.37eV，激子束縛能為60meV。氧化鋅晶體在c軸垂直面上具有對稱的電學性質和彈性，而在c軸方向擇優(yōu)取向的多晶薄膜具有單晶體似的壓電性和光電性質。這些突出的物理特性和平整均勻的表面形貌，使得ZnO薄膜可以廣泛應用于集成系統(tǒng)。此外，氧化鋅作為壓電薄膜具有較高的電阻率，在集成光學上的應用則要求有較高的透過率和折射率。為了進一步發(fā)展氧化鋅

2、在發(fā)光管、紫外光探測器、表面聲波器件、壓敏電阻器件等方面的應用，人們往往通過摻雜來提高氧化鋅的上述性能。其中，人們發(fā)現(xiàn)在含鋰的Li:ZnO薄膜中再摻入M2+離子后，不僅可以增強薄膜的電阻，還可以提高薄膜的相對密度。
　　 本論文中，在充分理解了氧化鋅晶體結構、氧化鋅薄膜的壓電和光電特性、多層薄膜外延生長緩沖層和集成光學上的應用，以及各種氧化鋅薄膜制備技術的基礎上，選取了溶膠-凝膠方法，在P型Si(100)襯底上成功地制備了具有c

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