磁閥式可控電抗器在無功補償中的應用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、文中首先簡單介紹了電抗器的發(fā)展歷程,可控電抗器的理論研究及其應用現(xiàn)狀。文章中重點對磁閥式可控電抗器(Magnetic-Valve Controllable Reactor,MVCR)做了詳細的理論研究,在已有狀態(tài)方程的基礎(chǔ)上,推導出電抗器的等效電路方程,并使用MATLAB建立了等效仿真模型。文中第三章對磁閥式可控電抗器的伏安特性、控制特性、諧波特性及響應特性分別進行了仿真分析,給出各種特性曲線;另一方面,通過公式推導的方式對以上各個特性

2、進行理論分析,做出各種理論分析特性曲線;將模型仿真的結(jié)果與理論推導公式的結(jié)果進行比較,驗證了仿真模型的準確性和有效性。 在MATLAB仿真模型的基礎(chǔ)上,對提高響應速度的方法進行了討論。從硬件結(jié)構(gòu)上來說,要提高響應速度可以增加電抗器的抽頭比、直流預偏磁、電容放電振蕩等;從控制策略上來講,可以通過增加電抗器的導通角來提高響應速度,但這僅適用于非滿負荷運行的狀況。文中選擇了一種增加抽頭比來提高響應速度的方式,使直流控制電壓變?yōu)?倍,相

3、應的晶閘管導通角范圍變?yōu)?~90度;文中從控制特性的線性度、有功損耗、諧波特性等方面進行分析。結(jié)果顯示,增加抽頭比后控制特性由原來的近似余弦變?yōu)榻凭€性,諧波特性保持不變,有功損耗沒有增加。通過MABLAB對增加抽頭比的電抗器進行仿真分析,采用適當?shù)膯涌刂品椒ǎ_到額定輸出狀態(tài)時響應時間減少一半,約0.15s;當要求電抗器輸出電流越小時,在2倍電壓下啟動,響應速度越快。 文中對通過電容放電來提高響應速度的方法進行了分析,包括控

4、制回路電感的非線性問題、最佳振蕩周期選取問題,以及電容充電的控制策略問題。通過基于MATLAB的模型仿真表明,帶有電容充放電的MVCR,可將響應時間縮短到一個甚至半個工頻周期,可以從根本上解決電抗器響應速度慢的問題。但使用電容充放電也存在很多問題,如充電電壓過高、確定預充電電壓值等,需要進一步解決。 最后,文章將提高響應速度后的MVCR應用到電氣化鐵道動態(tài)無功補償中,使用MVCR+FC進行動態(tài)補償,在動態(tài)補償效果、響應時間、功率

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