InP-Si低溫晶片鍵合的電特性和力學(xué)特性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、北京郵電大學(xué)碩士學(xué)位論文InPSi低溫晶片鍵合的電特性和力學(xué)特性的研究姓名：徐麗冰申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：電磁場與微波技術(shù)指導(dǎo)教師：黃永清20080303北京郵電人學(xué)碩士學(xué)位論文摘要并分別在兩種不同的模型下，得到了nInP／nSi鍵合后的IV曲線。4參與實現(xiàn)了InP／Si的低溫晶片鍵合(270。C)，并測試了鍵合后晶片的伏安特性。在此基礎(chǔ)上將DBR外延片成功鍵合到硅襯底上，并對鍵合前后的透射譜進(jìn)行了比較分析。關(guān)鍵詞：InP／Si晶片鍵合

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