共振隧穿三極管模擬及研制的研究.pdf

1、本論文的撰寫是基于天津大學電信學院新型半導體器件與集成技術組和國防科技重點實驗室的合作項目--"諧振隧穿三極管器件結構的研究"進行的.為了探究共振隧穿三極管(RTT)的結構對器件特性的影響,采用ATLAS模擬軟件進行器件模擬,在中國電子科技集團第13研究所進行了芯片制作,并對器件進行了測量,對于測試結果做了詳細的對比與分析.截至目前為止,本課題組和重點實驗室合作,成功研制出國內第一只共振隧穿三極管,其電流峰谷比PVCR最高達到47.

2、 論文完整的介紹了RTT的研制過程,從材料設計、版圖設計、器件模擬、芯片制作、測試、結果分析以及在電路中的應用等各個方面進行了詳細的解釋與論述,重點對器件模擬與芯片的測試與分析兩個關鍵環(huán)節(jié)進行了闡述.在模擬方面,著重對肖特基柵型共振隧穿三極管(SGRTT)和RTD與HEMT結合的RTT兩種類型器件進行了仿真,特別是對影響器件特性的重要結構參數(shù)和工藝參數(shù)進行了模擬分析,如器件發(fā)射極的面積、柵極的縱向位置以及勢壘區(qū)附近材料的摻雜濃度等,

3、在研制階段為設計人員提供了參考,在流片階段為器件制作提供了理論依據(jù).文章對芯片的測試結果進行了充分的分析與說明,針對芯片發(fā)射極一集電極正反接地造成的I-V特性曲線的差異性和開啟電壓V<,r>隨柵壓漂移的情況進行了討論,并通過器件模擬驗證正反接I-V特性曲線的差異,有力證明了作者對此的觀點,為分析測試結果提供了有力幫助. 整篇論文對共振隧穿三極管從設計、模擬到測試結果分析、驗證都進行了全面而嚴謹?shù)恼撌?為今后隧穿器件的研究與應用奠