寬帶主體材料的全彩色有機發(fā)光二極管.pdf

1、本文首先研究了以4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(8-methoxy-1，1，7，7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)4H-pyran(DCMJTB)為紅光熒光摻雜劑，tri-(8-hyaroxyquinoline)-aluminum(Alq<,3>)為主體材料，N，N’- diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)-(1，1’-biphenyl)-4，4’-di

2、amine(NPB)為空穴傳輸層，制作了結構為：ITO/NPB(60 nm)/DCMJTB(x wt％)+Alq<,3>(35 nm)/Alq<,3>(25 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(150 nm)的紅色有機電致發(fā)光器件(OLED)，研究了不同摻雜重量比的紅光器件性能。當摻雜比例從0.5％變化到2％時，最高亮度從8815 cd/m<'2>減少到1869 cd/m<'2>，最高效率從6.5 cd/A減少到1.1 cd/A，這是

3、因為隨著摻雜濃度的增加，激子之間的相互作用增強，濃度猝滅效應增強，載流子遷移率下降；器件色坐標從(x=0.60，y=0.39)變化到(x=0.64，y=0.36)。 為了實現全彩OLED顯示，紅、綠、藍三基色OLED器件必須有較佳的性能，目前通常采用摻雜技術來提高器件性能，比如在對于藍光器件，通常在9，10-di(2-naphthyl)anthracene(ADN)主體材料摻雜熒光材料；而紅光、綠光則通常在Alq3摻雜紅光、綠光

4、熒光材料，或者在4，4’-N，N-dicarbazole-biphenyl(CBP)材料中摻雜紅光、綠光磷光材料。本文嘗試用在bis[2-(2-hydroxyphenyl)-pyridine] beryllium(BePP<,2>)這種材料來制作藍光OLED器件。器件結構是：ITO/NPB(40 nm)/EML(emitting layer，30 nm)/Alq<,3>(20 nm)/LiF(0.6 nm)/M(130 nm)，制作發(fā)光

5、層分別為BePP<,2>、2，5，8，11-tetra-(t-butyl)-perylene(TBPE)(1 wt％)+BePP<,2>、TBPE(0.5 wt％)+4，4’-(1，4-phenylenedi-2，1-ethenediyl)bis[N，N-bis(4- methylphenyl)-benzenamine](DPAVB)(0.5 wt％)的器件并對其性能進行研究。結果發(fā)現在沒有摻雜的器件亮度效率比較差，而當在BePP<,2

6、>當中摻雜TBPE后，器件的效率有了較大的提高，在共摻的器件中效率進一步提高。這是因為共摻雜方法引入的異種摻雜分子使原有摻雜分子間的相互作用，特別是同種摻雜分子間的相互作用受到了抑制，從而減少了器件中的自淬滅效應，提高了器件的電致發(fā)光性能。 通常紅光、綠光OLED以Alq<,3>或者CBP為主體材料，本文提出一種在同一種主體材料上進行摻雜來制作R、G、B的OLED器件，在已經完成BePP<,2>摻雜藍光材料制作藍色OLED器件研

7、究后，我們嘗試利用BePP<,2>,為主體材料來制作紅光、綠光OLED器件，由于BePP<,2>的結構和紅光磷光材料．his(2-(2’-benzo[4，5-a]thienyl)pyridinato-N，C<'3’>)iridium(aeetylacetonate)Btp<,2>Ir(acac)比較類似，將在BePP<,2>進行磷光摻雜研究紅光OLED器件。制作結構為ITO/NPB(40 nm)/EML(40 nm))/ETL(dect

8、ron transrort layer,40 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(150 nm)的器件，器件發(fā)光層分別為：Btp<,2>Ir(acac)(4 wt％)+BePP<,2>、Btp<,2>Ir(acac)(10 wt％)+BePP<,2>、Btp<,2>Ir(acac)(4 wt％)+(Benzothiazolyl)-tetrallydro-tetramethyl-benzopyropyrano -quinolizin-1

9、1-one(C545T)(0.6 wt％)+BePP<,2>，另外我們還研究BePP<,2>作為電子傳輸層的性能。研究發(fā)現以BePP<,2>為紅色磷光主體材料可制得紅色磷光OLED器件；BePP<,2>的電子遷移率比較低，在以BcPP<,2>為電子傳輸層的器件中性能不佳；選用Alq<,3>為電子傳輸層后，器件的性能有較大改善；器件的效率隨著摻雜濃度增大而降低，這可能是由于產生三線態(tài)濃度猝滅導致的。引入Alq<,3>為電子傳輸層的器件在5

10、30 nm左右有一個發(fā)光峰，降低器件的色度，在EML共摻C545T后，這個發(fā)光峰明顯減少，提高器件色坐標，而且效率也有稍微改善。接著我們考察綠光磷光材料factris(2-phenylpyridine)iridium(Ir(ppy)<,3>)的結構，發(fā)現和BePP<,2>的結構比較類似，因此我們同樣以BePP<,2>為主體材料，以Ir(ppy)<,3>綠光磷光摻雜劑制作綠光OLED器件，其結構為：ITO/NPB(40 nm)/Ir(pp