2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、為了提高硅基無源器件的射頻/微波特性,已經(jīng)提出了許多方法,其中包括:使用高電阻率(≥3000Ωcm)的硅襯底來獲得與低損耗的半絕緣GaAs材料相似的性能,但在高阻硅襯底上采用現(xiàn)有的CMOS工藝不能實現(xiàn)有源電路;將無源器件下的低阻硅襯底腐蝕成小槽,可以消除低阻硅襯底帶來的不良影響,但同時腐蝕增加了工藝成本,而且加工難度較大;使用離子注入技術(shù)將低阻硅的晶格錯位形成一高阻層,可以減少低阻硅襯底的損耗,但其工藝非常復(fù)雜;還有諸如插入一層厚介質(zhì)膜

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