2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩66頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、隨著現(xiàn)代通信技術(shù)的飛速發(fā)展和市場(chǎng)需求的不斷提高，對(duì)射頻接收機(jī)的性能提出了更高要求。對(duì)于接收機(jī)中的射頻電路模塊而言，噪聲是一個(gè)非常重要的指標(biāo)。低噪聲放大器作為接收機(jī)的第一級(jí)其性能直接影響整機(jī)性能。 本文分別介紹3.0～3.5 GHz和57～64 GHz兩個(gè)頻段的SiGe BiCMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì)。首先介紹低噪聲放大器設(shè)計(jì)的基本射頻理論知識(shí)；接下去介紹SiGe BiCMOS工藝的基本知識(shí)，著重介紹SiGe異質(zhì)結(jié)晶體管(SiGe

2、 HBT)模型的噪聲、增益、線(xiàn)性度等特性：然后對(duì)低噪聲放大器常用結(jié)構(gòu)的噪聲、線(xiàn)性度、增益進(jìn)行分析；最后介紹兩種低噪聲放大器的結(jié)構(gòu)選擇、匹配方法、優(yōu)化設(shè)計(jì)以及電路仿真和版圖繪制。 用于S波段雷達(dá)接收機(jī)的SiGe BiCMOS低噪聲放大器采用三級(jí)設(shè)計(jì)，前級(jí)采用BiFET結(jié)構(gòu)，以提供較好的噪聲和線(xiàn)性度；后級(jí)采用簡(jiǎn)單的共射極結(jié)構(gòu)以滿(mǎn)足線(xiàn)性度的要求。此低噪聲放大器的設(shè)計(jì)直流功耗為150mW，工作頻段內(nèi)的輸入匹配S<,11><-20dB，輸

3、出匹配S<,22><-12dB，增益S<,21>達(dá)到32.5dB，輸出P<,1dB>>10dBm，噪聲系數(shù).NF<1.5dB。 用于60GHz無(wú)線(xiàn)個(gè)域網(wǎng)(Wireless Personal Area Network.WPAN)的57～64 GHz SiGeBiCMOS低噪聲放大器采用片上螺旋電感元件設(shè)計(jì)。電路采用共發(fā)共基結(jié)構(gòu)，電路的功耗為14mW，在57～64GHz工作頻率范圍內(nèi)，增益為11dB，輸入匹配S<,11><-12dB

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論