應用于S波段雷達接收機和60GHz WPAN接收機前端低噪聲放大器研究與設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著現代通信技術的飛速發(fā)展和市場需求的不斷提高，對射頻接收機的性能提出了更高要求。對于接收機中的射頻電路模塊而言，噪聲是一個非常重要的指標。低噪聲放大器作為接收機的第一級其性能直接影響整機性能。 本文分別介紹3.0～3.5 GHz和57～64 GHz兩個頻段的SiGe BiCMOS低噪聲放大器的設計。首先介紹低噪聲放大器設計的基本射頻理論知識；接下去介紹SiGe BiCMOS工藝的基本知識，著重介紹SiGe異質結晶體管(SiGe

2、 HBT)模型的噪聲、增益、線性度等特性：然后對低噪聲放大器常用結構的噪聲、線性度、增益進行分析；最后介紹兩種低噪聲放大器的結構選擇、匹配方法、優(yōu)化設計以及電路仿真和版圖繪制。 用于S波段雷達接收機的SiGe BiCMOS低噪聲放大器采用三級設計，前級采用BiFET結構，以提供較好的噪聲和線性度；后級采用簡單的共射極結構以滿足線性度的要求。此低噪聲放大器的設計直流功耗為150mW，工作頻段內的輸入匹配S<,11><-20dB，輸

3、出匹配S<,22><-12dB，增益S<,21>達到32.5dB，輸出P<,1dB>>10dBm，噪聲系數.NF<1.5dB。 用于60GHz無線個域網(Wireless Personal Area Network.WPAN)的57～64 GHz SiGeBiCMOS低噪聲放大器采用片上螺旋電感元件設計。電路采用共發(fā)共基結構，電路的功耗為14mW，在57～64GHz工作頻率范圍內，增益為11dB，輸入匹配S<,11><-12dB

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