場(chǎng)環(huán)結(jié)構(gòu)晶閘管功率模塊制造工藝研究.pdf

1、電力電子技術(shù)起始于五十年代末電力電子技術(shù)起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件，其發(fā)展先后經(jīng)歷了整流器時(shí)代、逆變器時(shí)代和變頻器時(shí)代，并促進(jìn)了電力電子技術(shù)在許多領(lǐng)域的應(yīng)用。八十年代末期和九十年代初期發(fā)展起來(lái)的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的半導(dǎo)體復(fù)合器件，表明傳統(tǒng)電力電子技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入了現(xiàn)代電力電子時(shí)代。二十一世紀(jì)，電力電子技術(shù)朝著大容量、高頻化、模塊化及智能化的方向迅速發(fā)展，同時(shí)各種新技術(shù)、新材料和新工藝不

2、斷運(yùn)用于功率晶閘管模塊的制造上，使功率晶閘管模塊的封裝技術(shù)不斷向前推進(jìn)，隨著集成電路的平面制造工藝在功率器件制造過(guò)程中廣泛運(yùn)用，帶場(chǎng)保護(hù)環(huán)的晶閘管制造技術(shù)在國(guó)外已經(jīng)有了很大發(fā)展，并廣泛的運(yùn)用在功率晶閘管模塊的制造技術(shù)上來(lái)?，F(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展方向，是從以低頻技術(shù)處理問(wèn)題為主的傳統(tǒng)電力電子學(xué)，向以高頻技術(shù)處理問(wèn)題為主的現(xiàn)代電力電子學(xué)方向轉(zhuǎn)變。 本文通過(guò)對(duì)部分新材料和新工藝的介紹以及對(duì)晶閘管的工作原理和阻斷特性分析，特別是通過(guò)對(duì)傳