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文檔簡介
1、在器件中引入應變硅技術，通過應力對溝道的作用，可以增強載流子遷移率，提高器件性能。在器件尺寸不斷縮小的今天，基于CMOS工藝的應變硅技術正得到越來越廣泛的應用。氮化硅致應變技術屬于應變硅技術的一種，通過在器件上淀積高應力氮化硅薄膜，對溝道引入應力，提高載流子遷移率，達到優(yōu)化器件性能的目的。相比于其他應變硅技術，氮化硅致應變技術在工藝上更加簡單，且有著更低的成本，具有很好的發(fā)展前景。 本文對氮化硅致應變技術進行了分析，研究了其應力
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