NAND閃存芯片封裝技術(shù)與可靠性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、芯片堆疊封裝技術(shù)是實(shí)現(xiàn)NAND存儲(chǔ)器的高容量和薄型化的理想解決方案,它能夠滿足市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器小型化和便攜式的要求。但其進(jìn)一步的發(fā)展卻受到很多因素的制約,其中最突出的就是針對(duì)多層NAND芯片封裝的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),封裝工藝的良品率和可靠性問題。這些問題已經(jīng)對(duì)我國NAND芯片產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展構(gòu)成了瓶頸制約,并引起了國內(nèi)整個(gè)行業(yè)的普遍關(guān)注。因此,迅速并有效的解決這些問題,不僅可以將極大的提升我國NAND芯片封裝技術(shù)能力,也將為我國封裝產(chǎn)業(yè)帶來極大的經(jīng)濟(jì)

2、價(jià)值。
  本文立足于我國NAND封裝技術(shù)的實(shí)際能力,在認(rèn)真調(diào)研國內(nèi)封裝技術(shù)和工藝能力的基礎(chǔ)上,提出一種八層NAND芯片的封裝結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)了相關(guān)的工藝加工和可靠性方案,并進(jìn)一步提出優(yōu)化方案,爭取為我國NAND封裝技術(shù)的發(fā)展做出一些貢獻(xiàn)。
  本論文的主要工作有:
  1.提出一種新型八層NAND芯片的LFBGA封裝結(jié)構(gòu)。本文參考JEDEC對(duì)封裝器件的求,在長為20mm,寬為16mm,封裝高度為0.9mm的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)八

3、層NAND芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
  2.提出八層NAND芯片LFBGA封裝的工藝方案。在初步設(shè)計(jì)工藝方案后,針對(duì)NAND封裝工藝中出現(xiàn)的芯片裂紋(Die Crack),芯片碎裂(Chipping)以及引線鍵合失效(Bond Lift)等缺陷運(yùn)用試驗(yàn)設(shè)計(jì)方法DOE(Design of Experiment)研究,對(duì)相關(guān)工藝參數(shù),材料進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,找出最佳方案以提高良品率,降低封裝成本,從而提高我國封裝企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭力。
  3.提

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